3. क्रिस्टल के सीमित पैकिंग में सबसे अधिक खाली स्थान होता है 

(A) सरल घन इकाई सेल में

(B) पिण्ड केन्द्रित (bcc) में 

(C) फलक केन्द्रित में (fcc)

(D) इनमें सभी

 4. किस क्रिस्टल संरचना में सीमित पैकिंग अधिकतम होता है 

(A) सरल घन इकाई सेल (sc)

(B) फलक केन्द्रित सेल (fcc) 

(C) पिण्ड केन्द्रित सेल (bcc)

(D) इनमें से कोई नहीं

 5. bcc संरचना में पैकिंग दक्षता एवं voids होता है 

(A) 90% तथा 10%

(B) 80% एवं 20% 

(C) 70% एवं 30%

(D) 68% एवं 32%

6. fcc या hcp या ccp में पैकिंग दक्षता तथा void की प्रतिशतता है 

(A) 74, 26 

(B) 68, 32

(C) 70, 30 

(D) इनमें से कोई नहीं

7. क्रिस्टल में समन्वय संख्या में वृद्धि होती है 

(A) ताप वृद्धि से 

(B) दाब वृद्धि से

(C) दोनों से 

(D) इनमें से कोई नहीं

 8. डायमण्ड (हीरा) में पैकिंग दक्षता एवं void (खाली स्थान) की प्रतिशतता है

(A) 34 एवं 66 

(B) 70 एवं 30

(C) 80 एवं 20 

(D) 50 एवं 50

9. fcc संरचना में प्रति परमाणु/आयन (i.e., sphere) Octahedral voids की संख्या है

(A) 2 

(B) 4

(C) 8 

(D) 1 

10. निम्न में किसमें Frenkel defect है 

(A) Sodium Chloride

(B) Graphite

(C) Diamond 

(D) Silver bromide

11. क्रिस्टल में Schottky defect पाया जाता है, जब 

(A) समान संख्या धनायन तथा ऋणायन गायब होता है

(B) असमान संख्या में धनायन तथा एनायन गायब होता है

(C) आयन interstitial sites में फँसता है

(D) क्रिस्टल का घनत्व बढ़ता है 

12. क्रिस्टल में स्थान जालक की संख्या होती है। 

(A) 20 

(B) 14

(C) 230 

(D) 13